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光电子集成芯片技术获重大突破

发布时间:2019-06-25 18:25:25

导语据科技部消息,863新材料技术领域办公室组织专家近日对光电子集成芯片及其材料关键工艺技术主题项目进行了验收。该项目在单一芯片上 研究 了多波长解复用阵列波导光栅(AWG)与波导探测器阵列的高效耦合集成方法

据科技部消息,863新材料技术领域办公室组织专家近日对“光电子集成芯片及其材料关键工艺技术”主题项目进行了验收。该项目在单一芯片上 研究 了多波长解复用阵列波导光栅(AWG)与波导探测器阵列的高效耦合集成方法及工艺,有效解决了结构和工艺兼容问题,实现了多波长并行高速波导探测器芯片集成的重大突破。开展了硅基二氧化硅AWG、硅基PIN型可调光衰减器(VOA)器件制备工艺和集成芯片关键技术 研究 ,制备出硅基AWG与VOA集成芯片。该项目形成16通道硅基平面光波回路型AWG芯片、VOA芯片的批量生产能力。

 

光电子集成芯片及其材料关键工艺技术是新材料领域重要的发展方向之一,是未来高速大容量光纤通信、全光网络、下一代互联网、宽带光纤接入网所广泛依赖的技术。业内认为,光子集成芯片是通过我国自主研发的光电子集成领域技术制造的芯片,可实现对传统集成电路的“弯道超车”,推动我国在光电子集成电路领域从“跟跑者”向“领跑者”转变。机构建议关注光迅科技、博创科技。

 

个股研报

 

光迅科技

 

公司是全球领先的光电子器件厂商,是国内光通信领域稀缺的具备光芯片研发能力的标的。近日,由公司牵头组建的“国家信息光电子创新中心”获得湖北省经信委和工信部批复通过,正式成立。公司目前各类10G 芯片总的出货量年200 万片以上,自给率达80%, 随着10G EML 芯片的突破,未来将进一步提升。25G EML/DFB 芯片今年大概率送样测试完成,明年实现量产,25G VCSEL 有望在2018 年开始研发,所以芯片自给率的提升对公司垂直一体化布局以及成本端的利好将会逐步显现。 预计2017-2019 年EPS 分别为0.55 元、0.75 元、1.01 元,给予目标价37.50 元,维持“买入”评级。 [西南证券股份有限公司]

 

博创科技

 

公司与Kaiam公司在光有源器件上加强合作,受益北美数据中心建设保持高速增长,对高速尤其是100G光模块的需求持续增大,公司供应给Kaiam的ROSA产品上半年实现销售收入0.79亿元,同比增长367.50%。公司与Kaiam公司合作切入光有源器件,除40G/100G ROSA产品以外,TOSA产品也有望实现销售。公司布局的MEMS集成光器件、硅基集成光学芯片和波长选择光开关等产品,也为未来公司营收规模扩张奠定基础。为增强研发团队及研发实力,公告拟出资1000万元在上海投资设立全资子公司,专门从事集成光电子芯片、器件及相关设备的研发,为长远发展积累技术资源。调整预测公司17-19年营业收入分别为3.92亿元、5.37亿元、7.84亿元,归母净利润分别为8400万元、1 .13亿元、1.50亿元,17-19年EPS分别为1.01元、1.36元、1.81元,当前股价对应PE为52.4x、39.Ox、29.4x,维持“推荐”评级。

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