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多晶硅的制备方法

发布时间:2019-06-25 18:28:16

导语   直到20世纪90年代,太阳能光光伏工艺还是主要建立在单晶硅的基础上。虽然单晶硅太阳能电池的成本在不断下降,但是与常规电力相比还是缺乏竞争力,因此,不断降低成本是光伏界追求的目标。自20世纪80年代铸造

  直到20世纪90年代,太阳能光光伏工艺还是主要建立在单晶硅的基础上。虽然单晶硅太阳能电池的成本在不断下降,但是与常规电力相比还是缺乏竞争力,因此,不断降低成本是光伏界追求的目标。自20世纪80年代铸造多晶硅发明和应用以来,增长迅速,80年代末期它仅占太阳能电池材料的10%左右,而至1996年底它已占整个太阳能电池材料的36%,它以相对低成本、高效率的优势不断挤占单晶硅的市场,成为最有竞争力的太阳能电池次材料。21世纪初已占50%以上,成为最主要的太阳能电池材料。

 

  1.装料

 

  将装有涂层的石英坩埚在热交换台上,加入硅原料,然后安装加热设备、隔热设备和炉罩,将炉内抽真空使炉内压力降至0.05-0.1mbar并保持真空。通入氩气作为保护气,使炉内压力基本维持在400-600mbar左右。

 

  2.加热

 

  利用石墨加热器给炉体加热,首先使石墨部件、隔热层、硅原料等表面吸附的湿气蒸发,然后缓慢加温,使石英坩埚的温度达到1200-1300℃左右,该过程需要4-5h。

 

  3.化料

 

  通入氩气作为保护气,使炉内压力基本维持在400-600mbar左右。逐渐增加加热功率,使适应坩埚内的温度达到1500℃左右,硅原料开始熔化。熔化过程中一直保证1500℃左右,直至化料结束。该过程约要20-22h。

 

  4.晶体生长

 

  硅原料熔化结束后,降低加热功率,使适应坩埚的温度降至1420-1440℃硅熔点左右。然后石英坩埚逐渐向下移动,或者隔热装置逐渐上升,使得石英坩埚慢慢脱离加热区,与周围形成热交换;同时,冷却板通水,使熔体的温度自底部开始降低,晶体硅首先在底部形成,生长过程中固液界面始终保持与水平面平行,直至晶体生长完成,该过程约要20-22h。

 

  5.退火

 

  晶体生长完成后,由于晶体底部和上部存在较大的温度梯度,因此,晶锭中可能存在热应力,在硅片加热和电池制备过程中容易再次硅片碎裂。所以,晶体生长完成后,硅锭保持在熔点附近2-4h,使硅锭温度均匀,减少热应力。

 

  6.冷却

 

  硅锭在炉内退火后,关闭加热功率,提升隔热装置或者完全下降硅锭,炉内通入大流量氩气,使硅锭温度逐渐降低至室温附近;同时,炉内气压逐渐上升,直至达到大气压,该过程约要10h。

 


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